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講演会 「GaNへテロ接合トランジスタの特長とインバータ展開」

日時

平成22年5月20日(木)16:10〜17:40

場所 山口大学工学部 D12 講義室(〒755-8611 宇部市常盤台2-16-1)
講師

橋詰 保 教授(北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター)

演題

「GaNへテロ接合トランジスタの特長とインバータ展開」
概要  窒化ガリウム(GaN)に代表される窒化物半導体は、周知のように青・紫領域の発光素子を実
現した材料として有名であるが、その優れた電子輸送特性も早くから注目され,高効率電力変
換デバイスおよび高周波パワーデバイス研究が急ピッチで展開されている。本講演では、電子
デバイス面から見たGaN系材料の物性的特徴、GaNへテロ接合トランジスタの特長と課題点、お
よび次世代インバータへの展開について説明する。
参加費

無料

事前の
参加申込
不要
問合せ先 山口大学大学院理工学研究科パワーエレクトロニクス教育研究分野
教授 田中俊彦 
TEL:0836-85-9470(ダイアルイン)  FAX:0836-85-9401 
e-mail:totanaka@yamaguchi-u.ac.jp
主催 電気学会中国支部

共催

照明学会,電子情報通信学会,情報処理学会、電気設備学会,
計測自動制御学会、日本電気技術者協会 各中国支部
中国・四国工学研究協会、産業教育部会

以 上